- 四款新設(shè)備提升工業(yè)設(shè)備的能效與功率密度 -
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡(jiǎn)稱“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭載其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片，采用緊湊型DFN8x8封裝，適用于開關(guān)電源和光伏發(fā)電調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。這四款設(shè)備“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出貨。
這款新品是首批采用小型貼片DFN8x8封裝的第3代SiC MOSFET，與TO-247和TO-247-4L(X)等傳統(tǒng)的引線封裝相比，體積縮小超過90%，顯著提升了設(shè)備的功率密度。貼片封裝還能使用比引線封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8x8采用4引腳[3]封裝，支持對(duì)門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源端進(jìn)行Kelvin連接，有效減少封裝內(nèi)源極線的電感影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；以型號(hào)TW054V65C為例，其開啟損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，相比Toshiba現(xiàn)有產(chǎn)品[5]，有助于減少設(shè)備的功率損耗。
Toshiba將持續(xù)擴(kuò)展其產(chǎn)品陣容，助力提升設(shè)備能效并增強(qiáng)功率處理能力。
注釋：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 信號(hào)源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年5月，數(shù)值由Toshiba測(cè)量。詳情請(qǐng)參閱Toshiba網(wǎng)站上此版本中的圖1。
[5] 采用TO-247封裝（無Kelvin連接）的650V第3代SiC MOSFET，等效電壓和導(dǎo)通電阻。
應(yīng)用領(lǐng)域
服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)電源
電動(dòng)汽車充電站
光伏逆變器
不間斷電源
特點(diǎn)
采用DFN8x8貼片封裝，有助于設(shè)備小型化及自動(dòng)化組裝，具備低開關(guān)損耗特性。
搭載Toshiba第3代SiC MOSFET
通過優(yōu)化漂移區(qū)電阻與溝道電阻比例，實(shí)現(xiàn)良好的漏源導(dǎo)通電阻溫度特性
漏源導(dǎo)通電阻與柵漏電荷乘積較低
低二極管正向電壓：VDSF =-1.35V(典型) (VGS =-5V)
主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta =25℃）
產(chǎn)品型號(hào)
TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C
封裝
名稱
DFN8x8
尺寸（毫米）：
典型
8.0×8.0×0.85
絕對(duì)最大額定值
漏源電壓 VDSS (V)
650
柵源電壓 VGSS (V)
-10 至 25
漏極電流 (DC) ID (A)
Tc =25°C
53
36
27
18
電氣特性
漏源導(dǎo)通電阻 RDS(ON) (mΩ)
VGS =18V
典型
31
54
92
123
柵極閾值電壓 Vth (V)
VDS =10V
3.0 至 5.0
總柵極電荷 Qg (nC)
VGS =18V
典型
65
41
28
21
柵漏電荷 Qgd (nC)
VGS =18V
典型
10
6.2
3.9
2.3
輸入電容 Ciss (pF)
VDS =400V
典型
2288
1362
873
600
二極管正向壓降 VDSF (V)
VGS =-5V
典型
-1.35
樣品檢查及供應(yīng)情況
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關(guān)于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進(jìn)半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，憑借半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和業(yè)務(wù)合作伙伴提供卓越的分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD產(chǎn)品。
該公司在全球擁有19,400名員工，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值最大化，與客戶密切合作共創(chuàng)價(jià)值和開拓新市場(chǎng)為宗旨。該公司以建設(shè)并促進(jìn)更美好的未來，讓全世界的所有人受益為目標(biāo)。
Toshiba：650V第3代SiC MOSFET，采用DFN8x8封裝
Toshiba：650V第3代SiC MOSFET，采用DFN8x8封裝
